三星电子将引入VCT技术并在未来2至3年内推出新的鼓产品

根据最新消息，三星电子概述了清晰的技术路线图，并计划在第7代10nm级内存存储过程（1d nm）之后引入VCT垂直频道技术。相关产品预计将在未来2到3年内释放。在计划下一代DRAM流程时，三星电子设备将面临两个选择：1E NM VCTRAM工艺和技术。在进行-Depth研究和比较之后，三星最终选择了VCT DRAM技术。与1E NM相比，VCT技术的性能和效率更好。为了加快研发的开发，三星电子还包括1d NM R＆D团队中的原始开创性研究团队，以集中精力促进1d NM流程的开发。技术NG VCT DRAM是一种采用垂直通道晶体管结构的新型存储技术，可以达到增加的存储密度和降低的电力消耗。这是广泛考虑的开发未来鼓技术的重要方向。这项技术的引入可以显着增强三星在DRAM领域的竞争力。